Hochklarheit optische Borosilikatglassubstrate in Halbleitern

Hochklarheit optische Borosilikatglassubstrate in Halbleitern

Material:

• Grundzusammensetzung: hauptsächlich Siliziumdioxid (SiO2) und Bortrioxid (B2O3) mit minimalem Alkaligehalt.

• Herstellung: Erzeugt durch kontinuierliches Schmelzen in platinbeschichteten Öfen, um eine extreme Reinheit und Homogenität zu gewährleisten.

• Schlüsselzusatzstoffe: Präzise Zusatzstoffe von Aluminiumoxid (Al2O3) zur chemischen Stabilität und Raffinationsmittel zur Beseitigung von Blasen/Unreinheiten.

Schlüsselmerkmale:

1. Außergewöhnliche optische Klarheit: Ultra-hohe Lichtübertragung (> 90%) über das UV-NIR-Spektrum (z. B. 185nm-2μm), minimale Autofluoreszenz.

2. Niedrige thermische Ausdehnung (CTE): Extrem niedrige CTE (∼3,3 × 10−6/K bei 20°C), die mit Siliziumwafern übereinstimmt, um stressinduzierten Ausfall während des thermischen Zyklus zu verhindern.

3. Überlegene thermische und chemische Beständigkeit:

   • Thermische Eigenschaften: Stabil bis zu 500 °C; widerstandsfähig gegen thermische Schocks durch schnelles Erhitzen/Kühlen.

   • Chemie: Inert gegenüber Säuren, Alkalien und Lösungsmitteln (z. B. Photoresistentwickler, Ätzer).

4. Hohe Oberflächenqualität: Nahezu atomare Glatzheit (< 0,5 nm Ra) ist für Nanolithographie und Dünnschichtdeposition kritisch.

5. Niedrige ionische Kontamination: Eine minimale Migration von Alkali-Ionen (Na+, K+) verhindert die Kontamination des Geräts.

6. Mechanische Stabilität: Hoher Young-Modul (∼64 GPa) gewährleistet die Dimensionssteifigkeit unter Bearbeitungsbelastung.

Hauptfunktion:

• Als hochstabile, inerte Plattform für Halbleiterherstellungsprozesse dienen.

• Bietet eine defektfreie Oberfläche für hochauflösende Muster (z. B. EUV-Fotomasken).

• Wirkt als Schutzfenster für Sensoren und Optiken in rauen Umgebungen.

• Ermöglicht eine präzise Lichtübertragung für Inspektions-, Mess- und Lithographiesysteme.

Hauptanwendungen in der Halbleiterindustrie:

1. Fotomaskenblank: Basismaterial für EUV/ArF-Fotolithografie-Masken, bei denen nahezu keine Defekte erforderlich sind.

2. MEMS- und Sensorkappen: Hermetische Versiegelungskappen für Drucksensoren, IR-Detektoren und MEMS-Geräte.

3. Waferbehandlungskomponenten: Trägerplatten, Prüffenster und Ausrichtungsschritte in Waferverarbeitungswerkzeugen.

4. Advanced Packaging: Interposatoren und Substrate für die Integration von 2,5D/3D-ICs.

5. Prozessgeräteoptik: Linsen, Ansichtspunkte und Spiegel in Plasma-Ätzern, CVD-Kammern und Laserwerkzeugen.

6. Metrologie und Inspektion: Kritisch für hochpräzise Ausrichtungssysteme und Defekt-Scanner.

Im Wesentlichen:Glassubstrate aus optischem Borosilikat mit hoher Klarheitsind ultra-reine, thermisch stabile Werkstoffe, die für die Herstellung von Halbleitern unerlässlich sind.chemische Trägheit, und die Oberflächenflächigkeit auf atomarer Ebene ermöglicht eine Präzision im Nanometermaßstab in der Photolithographie, schützt sensible Komponenten und gewährleistet die Zuverlässigkeit in extremen Prozessumgebungen.Diese Substrate unterstützen direkt Ausbeute und Leistung in fortgeschrittenen Knotenpunkten (e.g., sub-5nm), MEMS-Produktion und Verpackungen der nächsten Generation.